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Xc = 1／(2πfC)
Ic = E／Xc
IR = Ic ・ tanδ
cosθ = IR／I

上図-a のように誘電体と１対の電極板で構成されるコンデンサの容量を Ｃ とし、 このコンデンサに交流電圧 Ｅ を印加すると、I ＝ Ｅ× 2πfＣ なる電流が流れ、 同-b のベクトル図で示すように電流の位相は電圧に対して90゜進みます。
ところが、周波数が高い高周波交流では誘電体のロスにより δ だけ遅れ、 同-C のように 90゜−δ ＝ θ だけしか進みません。
等価回路では同-d のように書き、Ｉ は IC と IR のベクトル合成されたものと考える事ができます。 このうち電圧Ｅ と同位相である IR についてＰ ＝ IR × E なる発熱作用が発生します。
このδを誘電損失角、tanδ＝ IR／IC ＝1／2πfＣＲ を誘電正接といい、誘電体である物質それぞれ固有の値をもっています。
　

 上図-a に於いて
　 　電極の面積 = 　Ｓ　(m2)
　 　電極間隔 = 　ｄ　(m)
　 　誘電体の比誘電率 = 　εr
　 　周波数 = 　ｆ　(Hz)
　 　電圧 = 　Ｅ　(V)

 とすると、このコンデンサの容量は
　 Ｃ =ε0×εr×Ｓ／d      (F：ﾌｧﾗｯﾄﾞ)
　 ただし ε0 は真空の誘電率で 8.85×10-12 (F/m)

 発熱に係る電力 Ｐ は
　 Ｐ＝Ｅ2／Ｒ＝Ｅ2×tanδ×2πｆＣ＝Ｅ2×tanδ×2πｆ×Ｓ／ｄ　  (Ｗ)
 
 単位体積当たりの電力を考えると
　 Ｐ0＝Ｐ／（Ｓ×ｄ） であるから、
　 Ｐ0＝(Ｅ2×tanδ×2πｆ×ε0×εr）／ｄ2
　 ＝（Ｅ／d）2×tanδ×2πｆ×ε0×εr
　 ＝（Ｅ／d）2×5.56×10-11×ｆ×εr×tanδ　    （Ｗ／m3）
よって、発熱に係る単位体積あたりの電力は、電界の強さ(Ｅ／ｄ）の2乗、周波数ｆ、比誘電率εr、 誘電正接tanδ に比例する、ということになります。
この式は誘電加熱を説明する時にしばしば用いられ、εr×tanδ をロス・ファクタと 呼んで加熱しやすさの目安としています。
比誘電率と誘電正接の積 εr×tanδ について、 0.01＜εr×tanδ＜１ 程度が良好な誘電加熱の条件とされています。